Приступая к выводу основных характеристик, примем еще одно упрощение, а именно пренебрежем эффектом модуляции толщины базы вместе с его следствиями. Тогда для транзистора можно принять такую эквивалентную схему. Здесь каждый из переходов изображен в виде диода, а взаимодействие их отражено генераторами токов. Реальные статические характеристики. В формулах Молла - Эберса не учитывается целый ряд факторов, таких, как эффект Эрли, пробой перехода, зависимость а от тока и др.
Кривые коллекторного семейства имеют конечный; хотя и очень небольшой, наклон, который в области, близкой к пробою, резко увеличивается. Расстояние между кривыми немного уменьшается при больших токах из-за уменьшения а. Кривые эмиттерного семейства образуют довольно плотный "пучок", потому что влияние коллекторного напряжения на эмиттерное (внутренняя обратная связь - следствие эффекта Эрли) очень мало.
При нагреве транзистора кривые смещаются влево в область меньших напряжений. При одном и том же эмиттером токе эмиттерные напряжения у кремниевых транзисторов на 0,4 В больше, чем у германиевых и обычно составляют 0,7- 0,8 В. При достаточно большом токе входные вольт амперные характеристики деформируются - вырождаются из-за падения напряжения в слое базы.
Однако при прочих равных условиях вырождение у транзисторов наступает при значительно больших токах, чем у диодов, так как по сопротивлению базы протекает ток, в десятки раз меньший тока. Рассмотрим особенности выходных характеристик в области пробоя. Если любой из переходов транзистора использовать в качестве диода, то пробой при обратном напряжении будет иметь такой же характер, как в изолированном переходе.
