Статические характеристики и параметры. При включении ОЭ входным током является ток базы, который и примем за параметр коллекторного семейства характеристик.
В дальнейшем мы пренебрежем зависимостью р от тока, за исключением специальных случаев, и будем использовать обозначение Р как для дифференциальной, так и для интегральной величин. К числу этих факторов относятся в первую очередь режим, температура и частота. Зависимость коэффициента усиления от частоты подробно рассматривается в следующем разделе.
Следует, однако, иметь в виду, что такая разница предполагает заданный ток базы, т. е. бесконечно большое сопротивление в цепи базы. При малом сопротивлении R6 разница уменьшается, а при она практически исчезает. Второй тип пробоя в схеме ОЭ является еще более специфичным и носит название эффекта смыкания. В основе этого эффекта лежит расширение коллекторного перехода при увеличении напряжения.
Если слой базы достаточно тонкий, а напряжение достаточно велико, то эмиттерный и коллекторный переходы могут "сомкнуться", т. е. толщина базы w сделается равной нулю. При этом согласно коэффициент переноса дырок делается равным единице. Соответственно резко возрастает коэффициент Р, и практически имеет место пробой транзистора. Динамические параметры.
При включении транзистора по схеме ОЭ частотные и временные зависимости свойственны не только коэффициенту 3, но и коллекторному сопротивлению, которое согласно зависит от р. Выражения показывают, что переходные и частотные свойства в схеме ОЭ хуже, чем в схеме ОБ. В дальнейшем мы убедимся, что в реальных схемах этот недостаток в значительной мере сглаживается, тогда как преимущество схемы ОЭ - усиление входного тока - сохраняется.
