Для валентной связи бора с четырьмя соседними атомами кремния требуется по-прежнему образование устойчивой восьми электронной оболочки, т. е. нужен дополнительный электрон. Этот электрон отбирается из основной решетки и, будучи связанным, превращает атом бора в неподвижный отрицательный ион.

На том месте, откуда пришел электрон, образуется свободная дырка, которая добавляется к собственным дыркам, порожденным терма генерацией. Такие полупроводники (с преимущественно дырочной проводимостью) называются дырочными пли типа р, а соответствующие примеси - акцепторными ("принимающими" электроны). Помимо бора акцепторами по отношению к кремнию и германию служат алюминий, галлий., индий и некоторые другие элементы.

Отрыв "лишнего" электрона от донора и "недостающего" электрона для акцептора требует затраты некоторой энергии (энергия ионизации или активации примеси). Эта энергия зависит от типа и концентрации примеси, а также от диэлектрической проницаемости основного материала, которая влияет на силу электрического притяжения между электроном и атомным "остатком". При нулевой температуре (Т = О К) ионизация не может иметь места; с ростом температуры все большая часть примесных атомов ионизируется фононами.

В кремнии и германии при комнатной температуре примусные атомы III и V групп ионизированы практически полностью. Поскольку в примесных полупроводниках один тип подвижных носителей заряда превалирует над другим, принято называть те носители, которые составляют большинство, основными, а те, которые составляют меньшинство, - не основными.