Помимо электронно-дырочных переходов, рассмотренных выше, в полупроводниковых приборах встречаются и другие типы существенных неоднородностей, которые тоже можно отнести к переходам. Переходы между примесными и собственными полупроводниками. Соответственно вентильные свойства практически отсутствуют, и система является просто неоднородным полупроводником.
Контакты металл-полупроводник.
Контакты полупроводника с металлом играют важную роль в полупроводниковых приборах. Структура и свойства этих Контактов зависят в первую очередь от взаимного расположения проводимости полупроводника, заполнены в металле больше, чем в полупроводнике. Следовательно, после соприкосновения слоев часть электронов перейдет из металла в полупроводник и создаст отрицательный заряд на границе с металлом. Наличие дополнительных электронов согласно приводит к уменьшению расстояния между уровнем Ферми и дном зоны проводимости в этой области, поэтому энергетические уровни полупроводника искривляются вниз.
Область искривления зон (т. е. область пространственных зарядов) имеет протяженность, примерно равную дебаевской длине, которая в зависимости от удельного сопротивления полупроводника может составлять десятые, сотые доли микрона и меньше (вплоть до единиц нанометров). Описанный выше обмен электронами между металлом и полупроводником обычно характеризуют не разностью "исходных" уровней Ферми, а разностью работ выхода. Работой выхода электрона из твердого тела называют энергетическое "расстояние" между уровнем свободного электрона вне твердого тела и уровнем Ферми.
В зависимости от соотношения значений электроны при сближении слоев переходят либо из металла в полупроводник, либо из полупроводника в металл. В обоих случаях происходит искривление энергетических зон и на границе раздела появляется тот равновесный поверхностный потенциал. При непосредственном контакте металла с полупроводником можно считать.
